Гексафторид вольфрама, марка 5.0 (99,999%) WF6

MFCD00040536

Синонимы: Шестифтористый вольфрам, Фторид вольфрама(VI), tungsten hexafluoride, hexafluorotungsten

Кодировка EINECS(EC#) 232-029-1

Кодировка UN(ООН) 2196

ADR класс 2 2TC

Применение:  Используется при нанесении покрытий из вольфрама. Для получение порошкообразного вольфрама. Для разделения изотопов вольфрама.

В микроэлектронике и полупроводниковой продукции Гексафторид вольфрама обычно используется в полупроводниковой промышленности для формирования вольфрамовых пленок с помощью процесса химического осаждения из паровой фазы. Этот слой используется в металлических соединениях с низким удельным сопротивлением.

Гексафторид вольфрама вступает в качественные реакции с кремнием, водородом, силаном и германом. При CVD на кремниевой подложке необходимо обеспечить правильный температурный режим, инертную среду и высокую степень очистки поверхности перед нанесением вольфрамового слоя. Насыщение происходит при толщине слоя 10-15 мкм.

Осаждение на других веществах требуется для достижения конкретных параметров полупроводников:

Водород позволяет управлять кристаллитными слоями вольфрама (за одну реакцию получают 100 или 111 кристаллитов в зависимости от температуры). Образование плавиковой кислоты помогает вытравить ненужные примеси с поверхности микросхем, но в большинстве случаев воспринимается, как недостаток технологии.

Силан и герман помогают получить хорошую адгезию, гладкость слоя, но подобные реакции характеризуются высокочувствительной скоростью протекания и взрывоопасностью. Положительным результатом можно считать увеличение сопротивления вольфрамового покрытия до 200МОм/см.

Металлический вольфрам привлекателен своей относительно высокой термической и химической стабильностью, а также низким удельным сопротивлением и очень низкой электромиграцией. Гексафторид вольфрама предпочтительнее других родственных соединений.

Для контроля газовых реакций особенно ценна высокая плотность гексафторида вольфрама.

Также роль Гексафторида вольфрама неоспорима в процессах получения изотопов и порошкообразного металла. Все перечисленное обеспечило устойчивый мировой спрос на более 200 млн т вещества в год в аналитических, электронных и полупроводниковых производствах.