Арсин высокочистый Марка 6.4 (99.99994%) AsH3

ARSINE, мышьяковистый водород, арсенид водорода, arsenic trihydride, arsane, arsenwasserstoff

Арсин высокочистый (AsH3) - представляет собой инновационный материал, предназначенный для выращивания высококачественных гетероэпитаксиальных структур в сфере полупроводниковых технологий и соединений A3B5 АIIIВV, применяемых при производстве полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем. Продукт находит широкое применение в производстве полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем, особенно в оборонной промышленности и проектах двойного назначения.

Основные характеристики:

Исключительная чистота материала

Стабильность при высоких температурах

Совместимость с современными технологиями выращивания кристаллов

Соответствие международным стандартам качества

Области применения:

Производство полупроводниковых приборов военного назначения

Создание монолитных интегральных схем двойного применения

Разработка высокотехнологичных электронных компонентов

Производство современных оптоэлектронных устройств

Преимущества использования:

Повышение качества получаемых полупроводниковых структур

Увеличение выхода годной продукции

Стабильность характеристик конечного изделия

Соответствие требованиям оборонной промышленности

Возможность масштабирования производства

Технологические особенности:

Идеально подходит для метода молекулярно-пучковой эпитаксии

Обеспечивает равномерное распределение примесей

Способствует формированию кристаллической решетки высокого качества

Минимальное количество дефектов при выращивании структур

Высокочистый арсин находит широкое применение для получения полупроводниковых материалов (арсенидов галлия, индия, алюминия), применяющихся в микроэлектронике, лазерной технике, оптоэлектронике гелиоэнергетике, для производства мощных сверхвысокочастотных приборов , халькогенидных стекол для волоконной оптики .

Физико-химические свойства полупроводниковых и оптических материалов существенно зависят от чистоты исходных веществ. Согласно современным требованиям, уровень чистоты арсина, применяемого в микроэлектронике, должен составлять не ниже 99.99994% ТУ 2114-001-07611801-2010, а содержание в нем примесей, в первую очередь электрически активных, – не выше 10–6–10–5 об. %. Работ, посвященных исследованию примесного состава арсина, в литературе немного. В значительной степени это связано с его высокой токсичностью и в связи с этим предпочтительным анализом получаемых из арсина конечных менее токсичных материалов. Наибольшими аналитическими возможностями определения примесей в арсине обладают методы масс-спектрометрии, ИК-спектроскопии, газовой хроматографии и хромато-масс-спектрометрии. В работах  методом масс-спектрометрии в арсине определили примеси толуола, фреонов, ксилола, фосфина с пределом обнаружения 1 × 10–5 об. %. Описано ИК-спектроскопическое исследование содержания воды в арсине с пределом обнаружения 7 × 10–5 об. %. Основными методами анализа арсина, позволяющими определять широкий круг молекулярных примесей с низкими пределами обнаружения, являются газовая хроматография и хромато-масс-спектрометрия [5]. С использованием метода газовой хроматографии определены постоянные газы и диоксид углерода с пределами обнаружения 2 × 10–6–1 × 10–5 об. % , летучие неорганические гидриды элементов 3–6 групп периодической системы с пределами обнаружения 2 × × 10–7–1 × 10–4 об. % , углеводороды С1–С4 с пределами обнаружения 2 × 10–6–1 × 10–56 об. % [13–15]. Во всех работах по газохроматографическому анализу арсина примеси определяли с использованием насадочных колонок и различных селективных детекторов, позволяющих регистрировать с высокой чувствительностью только ограниченный набор примесей. Во многих случаях низкие пределы обнаружения достигнуты за счeт концентрирования и использования проб большого объeма, что не всегда приемлемо в случае анализа высокочистых веществ.